Modelos locales, modelos globales, modelos linealizados.

1.2 Clases de modelos según el espectro frecuencial de la señal

Modelos de DC, modelos de baja frecuencia, modelos de alta frecuencia.

Referencias:

[1] L. O. Chua and P. M. Lin, Computer Aided Analysis of Electronic Circuits: Algorithms and Computer Techniques, Prentice Hall, 1975.

Modelo: Ecuaciones características. Tipos: carbón, metal film, termistores, trimpots. Características: Limitaciones de potencia, variación con la temperatura, ancho de banda, rigidez dieléctrica, efecto termocupla, ruido.

Referencias:

[1] Cletus J. Kaiser, The Resistor Handbook, Vishay Intertechnology, 1998 (www.vishay.com).

2.2 Capacitores

Modelo: Ecuaciones características. Tipos: Electrolíticos (Aluminio y tantalio), cerámicos, metal film. Características constructivas. Características eléctricas: Tensión máxima, tensión de ripple, resistencia serie (ESR), inductancia (ESL), factor de disipación (tan d ), corriente de pérdida, impedancia en función de la frecuencia, tiempo de servicio.

Referencias:

[1] The Electronics Handbook, IEEE, edited by J. C. Whitaker, 1999, CRC Press, Inc.

[2] Aluminum Electrolytic Capacitors, Data Book ,1997, Siemens (www.epcos.com).

[3] Tantalum Electrolytic Capacitors, Data Book 1997, Siemens (www.epcos.com).

[4] Multilayer Ceramic Capacitors, Data Book 1997, Siemens (www.epcos.com).

[5] Film Capacitors, Data Book 1997, Siemens (www.epcos.com).

2.3 Inductores

Tipos, características, elementos de diseño.

Referencias:

[1] Wm. T. Mclyman, Transformer and Inductor Design Handbook, 1978, Marcel Dekker, Inc.

Partículas cargadas en un sólido: Movilidad. Conductividad. Difusión

Dopado. La juntura p-n en equilibrio. La juntura p-n bajo polarización directa e inversa: 1) Ecuaciones características (Modelo y parámetros de SPICE). Dependencia con la temperatura. Resistencia dinámica. Mecanismos de ruptura inversa. 2) Capacidad directa e inversa de una juntura. Tipos de diodos (zener, túnel, Schotky, varicap)

3.2 Transistores bipolares

Ppio. de funcionamiento. Necesidad del establecimiento de un punto de trabajo. Modelo de Ebers-Moll. Curvas características. Regiones de funcionamiento. Modelo de pequeña señal. Capacidades. Tipos y factores de selección.

3.3 Transistores de efecto de campo de juntura

Ppio. de funcionamiento. Necesidad del establecimiento de un punto de trabajo. Modelo. Curvas características. Regiones de funcionamiento. Modelo de pequeña señal. Capacidades. Tipos y factores de selección.

3.3 Transistores de efecto de campo de metal-óxido

Ppio. de funcionamiento. Necesidad del establecimiento de un punto de trabajo. Modelo de Schiman-Hodges. Curvas características. Regiones de funcionamiento. Modelo de pequeña señal. Capacidades.

Introducción al diseño de circuitos integrados

Referencias:

[1] · R. T. Howe and Charles G. Sodini, Microelectronics: An Integrated Approach, Prentice Hall,Prentice Hall; 1st edition,1996.

[2] Robert F. Pierret, Semiconductor Device Fundamentals, 1996, Addison-Wesley Publishing Company.

[1] Stanley Burns and Paul Bond, Principles of Electronics Circuits, PWS Publishing Company, 1997.

[2] Thomas Schubert and Ernest Kim, Active and Nonlinear Electronics, John Wiley & Sons, Inc., 1996.

Tipos y características. Ppio. de funcionamiento. Modelos. Aplicaciones.

Referencias:

[1] Robert F. Pierret, Semiconductor Device Fundamentals, 1996, Addison-Wesley Publishing Company.

Tipos y características. Ppio. de funcionamiento. Modelos. Aplicaciones.

Referencias:

[1] Robert F. Pierret, Semiconductor Device Fundamentals, 1996, Addison-Wesley Publishing Company.

Tipos y características de ruido: Ruido shot, ruido termal, ruido 1/f.

 6.1 Modelos 

Modelos equivalentes de ruido en bipolares, JFET y MOS.

Referencias:

[1] ·  P. Horowitz, W. Hill, The Art of Electronics, Cambridge University Press, 1989